第三代半导体具体指什么?

第三代半导体具体指什么?

知识星球(星球名:芯片制造与封测技术社区,星球号:63559049)里的学员问:芯片是如何分类的,以及与一代、二代、三代、四代的对应关系?

第一代半导体?

代表材料:硅(Si)、锗(Ge)。

锗的缺点:热稳定性差。

锗晶体管在1948年的出现,从1950年至1970年代初,锗晶体管发展迅速,此后从发达国家开始逐渐淘汰,到1980年,随着高纯硅的制作工艺逐渐成熟,几乎在全世界范围完全被硅晶体管所取代。

第二代半导体?

代表材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)。

优点:

1,电子迁移率高;

2,直接带隙,在光电子应用中非常高效,因为电子可以直接跃迁,同时释放光子,比如LED,激光器中。

第三代半导体?

代表材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN),硒化锌(ZnSe)。

优点:具有宽禁带宽度,高击穿电压和高热导率。适用于高温、高功率和高频应用。

第四代半导体?

Ga2O3单晶基板

代表材料:

氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)和氮化硼(BN)等

优点:超宽禁带宽度;高击穿电压;高载流子迁移率等

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