DDR、DDR2和DDR3的主要不同在于数据传输速率、总线频率、延迟、封装、电压要求以及兼容性等方面。
数据传输速率：
DDR（Double Data Rate Random Access Memory）每周期提供2次数据传输。
DDR2作为第二代DDR RAM，通过改进电气接口和on-die termination等技术，使得每个存储单元周期可以传输四个字的数据，因此在不加速存储单元本身的情况下，DDR2可以有效地以DDR两倍的总线速度运行，每周期提供4次数据传输。
DDR3则进一步提升了数据传输速率，每周期提供8次数据传输。这意味着在一定的时钟速度下，DDR3的数据传输速度是DDR的4倍，是DDR2的2倍。
总线频率与延迟：
DDR2的总线频率通过电气接口改进、on-die termination、prefetch buffers等技术得到提升。然而，作为一种权衡，DDR2的延迟会大大增加。DDR SDRAM的典型读取延迟为2到3个总线周期，而DDR2的读取延迟可能为4到6个总线周期。因此，DDR2内存必须以两倍的总线速度运行才能实现相同的ns延迟。
DDR3在提升数据传输速率的同时，也通过优化设计和制造工艺来降低延迟，以提供更好的性能表现。
封装与电压要求：
DDR使用TSSOP封装，而DDR2为了保持信号完整性，在更高的速度下运行，需要将芯片封装在更昂贵且更难以组装的BGA封装中。
DDR的电压要求为2.5V，而DDR2通过改进制造工艺（如die shrinkage），降低了电压要求至1.8V，从而实现了Power Savings。
DDR3在封装和电压要求方面继续优化，以支持更高的数据传输速率和更低的功耗。
兼容性：
DDR2 DIMM并非向后兼容DDR DIMM。DDR2 DIMM上的槽口位置与DDR DIMM不同，且DDR2是240针模块，而DDR是184针模块。
DDR2内存模块之间具有较好的兼容性，即较快的DDR2 DIMM与较慢的DDR2 DIMM可以兼容使用，但系统总线会设置为以较慢的内存速度运行。
DDR3与DDR2之间同样不兼容，需要使用相应类型的插槽和内存模块。
综上所述，DDR、DDR2和DDR3在数据传输速率、总线频率、延迟、封装、电压要求以及兼容性等方面存在显著差异。这些差异使得它们适用于不同的应用场景和性能需求。
