一方面因为成本高。去年下半年苹果的a13晶体管数目太多，865想要不落后就必须也增大晶体管的规模，生产成本高。然后华为的995没有用a77架构，据说下一代华为又直接上a78架构(？存疑)，a77架构的研发成本自然只能让高通买单，高通只好把成本转嫁给下游的手机厂商。而且865是和基带一起的，5g基带贵，非常贵。5g的频率太高了，特别是x55还支持毫米波，频率越高，成本越高，虽然对中国消费者来说毫米波没啥用，但成本是一定要转嫁给消费者的。外挂基带，那么就要做两次封装测试，这也是成本啊。
另一方面，华为995用的是a76架构性能全面落后，苹果的A13虽强但连5g基带都没有，遇到这种好事，高通不涨价那还好意思说自己是资本家吗？
以下部分我也不是特别懂，毕竟我只是个菜鸡，如果有懂的大佬希望能指导一下。
电路设计方面：
毫米波的电路设计可能无法使用集总电路原则。集总电路原则下就是以欧姆定律、基尔霍夫电压/电流定律等传统的电学方法，电流电压电阻电容电感等电学的参数来分析电路，比如两个端点之间的电阻为R，我就可以得到两个端点的电压与导线上的电流的关系为u=R*i。但是！但是！这么分析是有前提的，电路的尺寸要远小于信号的波长才能得到这个关系！否则，由于光速是有限的，上一个信号还没有传输到导线的输出端，下一个信号就已经进入了输入端，显然u=R*i的关系式不再成立。毫米波的波长为毫米量级，与基带尺寸相当，进行电路设计时极有可能无法使用集总参数原则，而只能以电磁学的方法，使用麦克斯韦方程来求解电路，难度和工作量都暴增。
器件设计方面：
对于晶体管来说，加上高频信号后会产生很多奇奇怪怪的效应，栅极和源漏之间，金半接触处的各种寄生/附加电容/电感秃如其来，继电流电压是复指数之后，你的跨导也成了复指数。。晶体管的器件结构，绝缘层的厚度，材料，甚至光刻工艺都可能需要优化，为了降低弛豫时间可能需要掺杂更多的贵金属甚至稀土元素，为了减小功耗说不定有的mosfet还工作在亚阈区，妈耶，漏电流和栅源电压是对数关系？？？
所以，支持毫米波的基带设计难度远高于4g基带，加工过程中的各种材料也会贵很多。
