阿斯麦LPP-EUV光刻机的缺点：
光源相干xing极差，使用反射镜滤光单镜光源损耗率30％，总损耗98％。
阿斯麦使用的反射镜（高NA）全世界只有德国蔡司一家能够生产。
锡污染以及光路散热工程造成易损件成本增加。
高NA升级到600瓦光源功率使整机成本增加到四倍。
生产效率太低。同样以3400B来说，该EUV光刻机的生产效率是每小时125片晶圆，还不到DUV光刻机生产效率的一半毫无疑问，生产效率不高，将直接导致芯片的生产成本高企。
阿斯麦满足下一代的一千瓦以上光源功率还需要八年，整机成本尚不可预知。
耗电量大，台积电全部EUV光刻机开工用电量达到半个三峡电站。
受美国巴统和瓦森纳协议操控不能拓宽中国等用户。
光刻厂优势：
光源相干性好，采用河南超透钻石型二向箔全反射滤光，EUV光源损耗为零。
能源回收合理，能源热损分散，耗电量有望低于阿斯麦一个数量级。
光刻光源功率1~10千瓦，光刻光源波长可调至13.5纳米和6.5纳米更高级级别，直接晋级下一代超高生产效率光刻。
SSMB-EUV光源获得九次验证，雄安装置建成即可以获取数万项技术专利壁垒和知识产权，相关股票可以获得丰厚无形资产。
光刻厂缺点：
SSMB-EUV新的三大件是波荡器、扭摆器、尾场激光器，不能产生瞬间磁场的弯铁必须淘汰，还没有在这样子的装置进行验证。
北京电子院承建建设周期不低于五年。
结论:
光刻厂是绕开了阿斯麦EUV光刻机高NA升级造成成本高企的技术陷阱。
中国在开建多个光刻厂之前仍然开发LPP、DPP极紫外光刻机，长春光机所DPP、华中科技光纤激光LPP、上海光机所的LPP三家光刻机样机也值得关注。
中国EUV光刻机在高、中、低的三个档次完成直道超车。
